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更新日期：2021年2月28日
李媛
作品数：28 被引量：76H指数：6
供职机构：华南理工大学;详细>>
研究主题：酶解;GAN高电子迁移率晶体管;酶解特性;鱼蛋白;衬底;详细>>
研究领域：轻工技术与工程;生物学;医药卫生;文学;经济管理;详细>>
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注 释：
- 一种80％烯酰吗啉水分散粒剂及其制备方法
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- [发明专利] 华南理工大学 20151218邱学青 庞煜霞 李媛 李远 黄锦浩 易聪华
- 本发明公开了一种80％烯酰吗啉水分散粒剂及其制备方法。以质量百分比计,该80％烯酰吗啉水分散粒剂的原料组成为：烯酰吗啉原药80％、木质素分散剂6％～10％、十二烷基硫酸钠1％～5％、萘磺酸盐甲醛缩合物1％～6％、崩解剂0...获取全文
- 一种纳米柱紫外LED
- 2
- [外观设计] 华南理工大学 20180428李国强 李媛 王文樑 阳志超
- 本实用新型属于半导体的技术领域,公开了一种纳米柱紫外LED。所述纳米柱紫外LED由下至上依次包括衬底、预铺Al层、AlN层、AlGaN层、u#GaN层、n#GaN层、量子阱纳米柱以及p#GaN纳米柱。本实用新型的纳米柱紫...获取全文
- 低值鱼蛋白的热变性与酶解特性关系研究
- 3
- 《食品科学》 北大核心期刊（2004版） 美国《化学文摘》 中国科学引文数据库 英国《食品科技文摘》 日本科学技术振兴机构数据库 英国皇家化学学会文摘 中国科技核心期刊 2005年第5期 50-53,共4页李媛 刘通讯 王永江 赵谋明
- 广东省自然科学基金，广东省农业科技攻关项目
- 本文选用低值鱼为对象,研究它们在不同的热处理条件下蛋白变性程度、-SH含量变化及它们对酶解特性的影响.DSC扫描曲线显示:热处理温度升高、时间延长,变性程度增大,80℃,10min蛋白变性程度已达98.31%.酶解结果表...获取全文在线阅读相关文章
- 关键词：热变性 鱼蛋白 酶解 被引量：13
- GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜及其纳米外延过生长方法
- 4
- [发明专利] 华南理工大学 20170419刘智崑 李国强 李媛
- 本发明公开了GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜的纳米外延过生长方法，包括：(1)采用MOCVD方法在Si衬底上生长AlN成核层；(2)采用MOCVD方法在AlN成核层上外延生长GaN外延层；(3)在GaN薄膜层上沉积S...获取全文
- 中国金融对外开放进程中的货币替代影响因素研究
- 5
- 华南理工大学 2017李媛
- 由于货币可兑换性,在本国出现较为严重的通货膨胀或汇率贬值预期时,国内公众出于降低交易成本与资产保值的考虑,会减少持有本国货币、增持价值相对较高的外国货币,这种现象通常被称为“货币替代”。货币替代可以看作是一种良币驱逐劣币...获取全文
- 关键词：货币替代 汇率变动 货币贬值 ARDL-ECM模型
- 生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱
- 6
- [实用新型] 华南理工大学 20161031李国强 杨美娟 林云昊 李媛
- 本实用新型属于纳米阵列的多量子阱的技术领域,公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱。生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱,包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的Al...获取全文
- 低值鱼蛋白磷酸化改性对酶解影响研究
- 7
- 《食品工业科技》 北大核心期刊（2004版） 美国《化学文摘》 ProQeust数据库 中国科学引文数据库 英国《食品科技文摘》 日本科学技术振兴机构数据库 中国科技核心期刊 2006年第3期 103-105,共3页刘通讯 李媛
- 广东省自然科学基金资助项目（031348）;广东省农业重大攻关项目（A20302）;广东省科技计划项目（2（YJ4A20302003）.
- 对低值鱼蛋白磷酸化改性，并进行体外酶解，研究了磷酸化鱼蛋白的酶解特性（酶解物氨态氮得率、TCA可溶性肽得率及肽分子量分布）。结果表明，磷酸化低值鱼蛋白酶解物中TCA-N得率与对照样相近，约46％，磷酸化对其酶解程度影响很...获取全文相关文章
- 关键词：鱼蛋白 磷酸化 改性 酶解 被引量：5
- 一种纳米柱紫外LED及其制备方法与应用
- 8
- [发明专利] 华南理工大学 20180428李国强 李媛 王文樑 阳志超
- 本发明属于半导体的技术领域,公开了一种纳米柱紫外LED及其制备方法与应用。所述制备方法是在紫外LED外延片的表面设置一层纳米二氧化硅颗粒,然后以纳米二氧化硅颗粒为掩膜,在紫外LED外延片上刻蚀出纳米柱结构,从而获得纳米柱...获取全文
- GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜
- 9
- [实用新型] 华南理工大学 2017年4月19日刘智崑 李国强 李媛
- 本实用新型公开了GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜，由下至上依次包括Si衬底、AlN成核层、GaN外延层、SiO<sub>2</sub>薄膜掩模层、过生长GaN外延层；所述SiO<sub>2</sub>薄膜掩模层上设有...获取全文
- 一种图形化Si衬底上非极性紫外LED及其制备与应用
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- [发明专利] 华南理工大学 20180428李国强 李媛 王文樑 阳志超
- 本发明属于LED技术领域，公开了一种图形化Si衬底上非极性紫外LED及其制备与应用。图形化Si衬底上非极性紫外LED包括图形化Si衬底以及非极性紫外LED；图形化Si衬底上设有若干凹槽，所述凹槽的纵截面中一侧壁为竖直的侧...获取全文
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