专利 详细信息
一种纳米柱紫外LED
专利类型：外观设计
申 请 号：CN201820629471.2
申 请 日：20180428
申 请 人：华南理工大学
申请人地址：510640 广东省广州市天河区五山路381号
公 开 日：20181127
公 开 号：CN208157443U
代 理 人：陈智英
代理机构：广州市华学知识产权代理有限公司 44245
摘 要：本实用新型属于半导体的技术领域,公开了一种纳米柱紫外LED。所述纳米柱紫外LED由下至上依次包括衬底、预铺Al层、AlN层、AlGaN层、u#GaN层、n#GaN层、量子阱纳米柱以及p#GaN纳米柱。本实用新型的纳米柱紫外LED,释放LED量子阱的应力,减弱量子限制斯塔克效应,增强LED器件性能。另外,本实用新型的制备方法简单易行,避免了制作掩模版的复杂步骤和成本,并能够通过采用不同颗粒尺寸的SiO2来调节纳米柱的尺寸大小。
主 权 项：1.一种纳米柱紫外LED,其特征在于：由下至上依次包括衬底、预铺Al层、AlN层、AlGaN层、u#GaN层、n#GaN层、量子阱纳米柱以及p#GaN纳米柱；所述量子阱纳米柱为InGaN/GaN#1/AlGaN/GaN#2量子阱纳米柱,GaN#1和GaN#2为垒层,InGaN为阱层,GaN#1和GaN#2都是GaN层。
IPC专利分类号：H01L33/12;H01L33/00;B82Y40/00
参考文献：
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引证文献：
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二级引证文献：
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同被引文献：
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