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专利 详细信息

一种纳米柱紫外LED  

专利类型:外观设计

申 请 号:CN201820629471.2

申 请 日:20180428

发 明 人:李国强 李媛 王文樑 阳志超

申 请 人:华南理工大学

申请人地址:510640 广东省广州市天河区五山路381号

公 开 日:20181127

公 开 号:CN208157443U

代 理 人:陈智英

代理机构:广州市华学知识产权代理有限公司 44245

摘  要:本实用新型属于半导体的技术领域,公开了一种纳米柱紫外LED。所述纳米柱紫外LED由下至上依次包括衬底、预铺Al层、AlN层、AlGaN层、u#GaN层、n#GaN层、量子阱纳米柱以及p#GaN纳米柱。本实用新型的纳米柱紫外LED,释放LED量子阱的应力,减弱量子限制斯塔克效应,增强LED器件性能。另外,本实用新型的制备方法简单易行,避免了制作掩模版的复杂步骤和成本,并能够通过采用不同颗粒尺寸的SiO2来调节纳米柱的尺寸大小。

主 权 项:1.一种纳米柱紫外LED,其特征在于:由下至上依次包括衬底、预铺Al层、AlN层、AlGaN层、u#GaN层、n#GaN层、量子阱纳米柱以及p#GaN纳米柱;所述量子阱纳米柱为InGaN/GaN#1/AlGaN/GaN#2量子阱纳米柱,GaN#1和GaN#2为垒层,InGaN为阱层,GaN#1和GaN#2都是GaN层。

IPC专利分类号:H01L33/12;H01L33/00;B82Y40/00

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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